Описание

Lcr-t4 графическое сопротивление тестера Конденсатор СОЭ Диод тиристорный индуктор Mos

Описание продукта:
Диапазон измерения сопротивления: в соответствии с описанием
Рабочая температура: 0-40?
Диапазон измерения емкости: в соответствии с описанием
Размеры: в соответствии с описанием
Сделай Сам: электрический
Диапазон измерения напряжения: в соответствии с описанием

Партномер: в соответствии с описанием
Тип дисплея: цифровой дисплей
Диапазон измерения тока: в соответствии с описанием
Диапазон индуктивности измерения: в соответствии с описанием
Режим работы: в соответствии с описанием
Особенности: 1,2013 последняя версия программного обеспечения M328, больше функций. Чип: Atmega3282.128 * 64 большая Подсветка ЖК-дисплей, только 2ма при стойке.
3, использование аккумулятора 9 В (не входит в комплект) Диапазон испытаний: индукторы, конденсаторы, диоды, двойной диод, МОС, транзистор, SCR, регулятор, светодиодный трубки, ESR, сопротивление, регулируемое Потенциометрическое сопротивление: 0,1 Ом разрешение, максимальный 50 м омконденсатор: 25пф-100000 мкФ
Индукторы: 0,01 mH-20 H функция:
1: автоматическое обнаружение NPN и PNP транзисторов, n-канальный и p-канальный МОП-транзистор, диод (включая двойной диод), тиристор, транзистор, резистор и конденсатор и другие компоненты S2: автоматическая проверка штифта компонента и отображение на ЖК-дисплее
3: может обнаруживать транзистор, MOSFET защита диодов усиления коэффициента и основание, чтобы определить излучатель транзистора вперед предвзятый напряжение 4: Измерьте емкость ворот и ворот порогового напряжения MOSFET 5: используйте 12864 жидкокристаллический дисплей с зеленым светом характеристики: для вас reference1, управление одной кнопкой, автоматическое отключение. 2, только 20nA ток отключения.
3, автоматически обнаруживает NPN, PNP биполярные транзисторы, n-канал и p-канал MOS FET, JFET, диоды, два диода, Тиристоры малой мощности однонаправленного и двунаправленного тиристор.4, автоматическая идентификационная схема компонентов. 5. Измерение биполярного коэффициента усиления тока транзистора и порога основного излучателя. 6, с помощью порогового напряжения и коэффициента усиления высокого тока